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　　深圳卡片U盤 朗科在閃存盤剛開始流行的時(shí)候還是比較火的，客觀說朗科的東西質(zhì)量也還行，我現(xiàn)在還有個(gè)朗科的32M優(yōu)盤狀態(tài)生猛，深圳卡片U盤不過朗科的東西價(jià)格一直都比較貴，到后來完全沒競(jìng)爭(zhēng)力了。無論什么行業(yè)，終極的企業(yè)必然需要靠規(guī)模來降低成本羅提出來的U盤化生存，限于針對(duì)獨(dú)立客戶的不可復(fù)制的服務(wù)而言，他舉的例子也不過是收垃圾，貼地磚；這樣的企業(yè)甚至可能都養(yǎng)不起一個(gè)高階的管理人員，可以說就是所謂的“小而美”的企業(yè)吧。我靠本專業(yè)知識(shí)，趕在知乎硅工團(tuán)到達(dá)現(xiàn)場(chǎng)之前答一個(gè)。

　　這個(gè)問題本質(zhì)上是問易失性存儲(chǔ)器（Volatile Memory）和非易失性存儲(chǔ)器之間原理上的區(qū)別。一般的說易失性存儲(chǔ)器的原理比較簡(jiǎn)單，非易失性的原理則多種多樣。還好題主只問了Flash，我偷懶只答個(gè)Flash好了。易失性存儲(chǔ)器目前應(yīng)用最廣的兩種是靜態(tài)（Static）和動(dòng)態(tài)（Dynamic）隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（Random Access Memory），常用縮寫分別為SRAM和DRAM。容易看出DRAM的原理是所謂有損讀取：讀取的時(shí)候如果電容里面有電，是要消耗電容里面的電量的；如果電容里沒電，輸入端的殘余電荷也會(huì)注入電容。所以DRAM多讀幾次，深圳卡片U盤里面存的電量會(huì)趨于中間值，信息就不明確了。U盤工廠這時(shí)候就需要控制電路給電容定期刷新，把他拉回相應(yīng)的高低電平上去。DRAM所謂“動(dòng)態(tài)”，指的就是這個(gè)刷新的需要。